ELM13401CA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ELM13401CA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 9.4 nC
Время нарастания (tr): 3.2 ns
Выходная емкость (Cd): 115 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для ELM13401CA
ELM13401CA Datasheet (PDF)
elm13401ca.pdf
Single P-channel MOSFETELM13401CA-SGeneral description Features ELM13401CA-S uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-4.2A (Vgs=-10V)resistance. Rds(on)
elm13400ca-s.pdf
Single N-channel MOSFETELM13400CA-SGeneral description Features ELM13400CA-S uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=5.8A (Vgs=10V)resistance. Rds(on)
elm13403ca.pdf
Single P-channel MOSFETELM13403CA-SGeneral description Features ELM13403CA-S uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-2.6A (Vgs=-10V)resistance. Rds(on)
elm13407ca-s.pdf
Single P-channel MOSFETELM13407CA-SGeneral description Features ELM13407CA-S uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-4.1A (Vgs=-10V)resistance. Rds(on)
elm13409ca.pdf
Single P-channel MOSFETELM13409CA-SGeneral description Features ELM13409CA-S uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-2.6A (Vgs=-10V)resistance. Rds(on)
elm13402ca.pdf
Single N-channel MOSFETELM13402CA-SGeneral description Features ELM13402CA-S uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=4A (Vgs=10V)resistance. Rds(on)
elm13406ca.pdf
Single N-channel MOSFETELM13406CA-SGeneral description Features ELM13406CA-S uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=3.6A (Vgs=10V)resistance. Rds(on)
elm13404ca.pdf
Single N-channel MOSFETELM13404CA-SGeneral description Features ELM13404CA-S uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=5.8A (Vgs=10V)resistance. Rds(on)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP450 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
