ELM14408AA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ELM14408AA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для ELM14408AA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ELM14408AA даташит

 ..1. Size:428K  elm
 elm14408aa.pdf pdf_icon

ELM14408AA

Single N-channel MOSFET ELM14408AA-N General description Features ELM14408AA-N uses advanced trench technology to Vds=30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=12A (Vgs=10V) resistance. Rds(on)

 7.1. Size:414K  elm
 elm14409aa.pdf pdf_icon

ELM14408AA

Single P-channel MOSFET ELM14409AA-N General description Features ELM14409AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-15A (Vgs=-10V) resistance. Rds(on)

 7.2. Size:409K  elm
 elm14407aa.pdf pdf_icon

ELM14408AA

Single P-channel MOSFET ELM14407AA-N General description Features ELM14407AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-12A (Vgs=-20V) resistance. Rds(on)

 7.3. Size:415K  elm
 elm14406aa.pdf pdf_icon

ELM14408AA

Single N-channel MOSFET ELM14406AA-N General description Features ELM14406AA-N uses advanced trench technology to Vds=30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=11.5A (Vgs=10V) resistance. Rds(on)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ELM13421CA, ELM13424CA, ELM13434CA, ELM14354AA, ELM14404AA, ELM14405AA, ELM14406AA, ELM14407AA, 60N06, ELM14409AA, ELM14411AA, ELM14418AA, ELM14419AA, ELM14420AA, ELM14423AA, ELM14425AA, ELM14427AA