ELM14468AA - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

ELM14468AA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ELM14468AA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для ELM14468AA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

ELM14468AA даташит

..1. Size:401K elm
elm14468aa.pdf pdf_icon

Single N-channel MOSFET ELM14468AA-N General description Features ELM14468AA-N uses advanced trench technology to Vds=30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=11.6A (Vgs=10V) resistance. Rds(on)

7.1. Size:399K elm
elm14466aa.pdf pdf_icon

Single N-channel MOSFET ELM14466AA-N General description Features ELM14466AA-N uses advanced trench technology to Vds=30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=9.4A (Vgs=10V) resistance. Rds(on)

8.1. Size:414K elm
elm14409aa.pdf pdf_icon

Single P-channel MOSFET ELM14409AA-N General description Features ELM14409AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-15A (Vgs=-10V) resistance. Rds(on)

8.2. Size:458K elm
elm14430aa.pdf pdf_icon

Single N-channel MOSFET ELM14430AA-N General description Features ELM14430AA-N uses advanced trench technology to Vds=30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=18A (Vgs=10V) resistance. Rds(on)