Справочник MOSFET. ELM14801AA

 

ELM14801AA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ELM14801AA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 103 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.049 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для ELM14801AA

 

 

ELM14801AA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:389K  elm
 elm14801aa.pdf

ELM14801AA ELM14801AA

Dual P-channel MOSFETELM14801AA-NGeneral description Features ELM14801AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on) and low gate charge. Id=-5A (Vgs=-10V) Rds(on)

 7.1. Size:395K  elm
 elm14806aa.pdf

ELM14801AA ELM14801AA

Dual N-channel MOSFETELM14806AA-NGeneral description Features ELM14806AA-N uses advanced trench technology Vds=20Vto provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=9.4A (Vgs=10V)operation with gate voltages as low as 1.8V and internal Rds(on)

 7.2. Size:410K  elm
 elm14805aa.pdf

ELM14801AA ELM14801AA

Dual P-channel MOSFETELM14805AA-NGeneral description Features ELM14805AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on) and low gate charge. Id=-8A (Vgs=-20V) Rds(on)

 7.3. Size:1111K  elm
 elm14803ab.pdf

ELM14801AA ELM14801AA

Dual P-channel MOSFETELM14803AB-NGeneral description Features ELM14803AB-N uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on) and low gate charge. Id=-5A (Vgs=-10V) Rds(on)

 7.4. Size:392K  elm
 elm14800aa.pdf

ELM14801AA ELM14801AA

Dual N-channel MOSFETELM14800AA-NGeneral description Features ELM14800AA-N uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on) and low gate charge. Id=6.9A (Vgs=10V) Rds(on)

 7.5. Size:890K  cn vbsemi
 elm14800aa.pdf

ELM14801AA ELM14801AA

ELM14800AAwww.VBsemi.twDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.830 15 nC 100 % UIS Tested0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top