ELM16604EA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ELM16604EA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT-26

Аналог (замена) для ELM16604EA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ELM16604EA даташит

 ..1. Size:573K  elm
 elm16604ea.pdf pdf_icon

ELM16604EA

 7.1. Size:579K  elm
 elm16601ea.pdf pdf_icon

ELM16604EA

Complementary MOSFET ELM16601EA-S General Description Features ELM16601EA-S uses advanced trench N-channel P-channel technology to provide excellent Rds(on) Vds=30V Vds=-30V and low gate charge. Id=3.4A(Vgs=10V) Id=-2.3A(Vgs=-10V) Rds(on)

 9.1. Size:413K  elm
 elm16405ea.pdf pdf_icon

ELM16604EA

Single P-channel MOSFET ELM16405EA-S General description Features ELM16405EA-S uses advanced trench technology to Vds=-30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-5A (Vgs=-10V) resistance. Rds(on)

 9.2. Size:438K  elm
 elm16408ea.pdf pdf_icon

ELM16604EA

Single N-channel MOSFET ELM16408EA-S General description Features ELM16408EA-S uses advanced trench technology Vds=20V to provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=8.8A (Vgs=10V) operation with gate voltages as low as 1.8V and internal Rds(on)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ELM16400EA, ELM16401EA, ELM16402EA, ELM16403EA, ELM16405EA, ELM16408EA, ELM16409EA, ELM16601EA, 2SK3878, ELM16800EA, ELM17400FA, ELM17401FA, ELM17408GA, ELM17412GA, ELM17600GA, ELM17800GA, ELM18801BA