RFP60P03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFP60P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для RFP60P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFP60P03 даташит

 ..1. Size:103K  harris semi
 rfg60p03 rfp60p03 rf1s60p03-sm.pdf pdf_icon

RFP60P03

Другие IGBT... RFP45N06, RFP45N06LE, RFP4N05L, RFP4N06L, RFP4N100, RFP50N05L, RFP50N06, RFP50N06LE, P60NF06, RFP70N03, RFP70N06, RFP7N10LE, RFP8N20L, RFP8P05, RFP8P06E, RFP8P06LE, RFP8P10