ELM32424LA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ELM32424LA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
trⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для ELM32424LA
ELM32424LA Datasheet (PDF)
elm32424la.pdf
Single N-channel MOSFETELM32424LA-SGeneral description Features ELM32424LA-S uses advanced trench technology to Vds=25Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=50A resistance. Rds(on)
elm32428la.pdf
Single N-channel MOSFETELM32428LA-SGeneral description Features ELM32428LA-S uses advanced trench technology to Vds=25Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=75A resistance. Rds(on)
elm32422la.pdf
Single N-channel MOSFETELM32422LA-SGeneral description Features ELM32422LA-S uses advanced trench technology to Vds=25Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=60A resistance. Rds(on)
elm32420la.pdf
Single N-channel MOSFETELM32420LA-SGeneral description Features ELM32420LA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=45A resistance. Rds(on)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918