Справочник MOSFET. ELM33402CA

 

ELM33402CA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ELM33402CA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для ELM33402CA

 

 

ELM33402CA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:599K  elm
 elm33402ca.pdf

ELM33402CA ELM33402CA

Single N-channel MOSFETELM33402CA-SGeneral description Features ELM33402CA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=3A resistance. Rds(on)

 7.1. Size:486K  elm
 elm33403ca.pdf

ELM33402CA ELM33402CA

Single P-channel MOSFETELM33403CA-SGeneral description Features ELM33403CA-S uses advanced trench technology to Vds=-20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-4A resistance. Rds(on)

 7.2. Size:599K  elm
 elm33408ca.pdf

ELM33402CA ELM33402CA

Single N-channel MOSFETELM33408CA-SGeneral description Features ELM33408CA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=3A resistance. Rds(on)

 7.3. Size:588K  elm
 elm33407ca.pdf

ELM33402CA ELM33402CA

Single P-channel MOSFETELM33407CA-SGeneral description Features ELM33407CA-S uses advanced trench technology to Vds=-20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-3A resistance. Rds(on)

 7.4. Size:592K  elm
 elm33405ca.pdf

ELM33402CA ELM33402CA

Single P-channel MOSFETELM33405CA-SGeneral description Features ELM33405CA-S uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-2A resistance. Rds(on)

 7.5. Size:981K  elm
 elm33401ca-s.pdf

ELM33402CA ELM33402CA

Single P-channel MOSFETELM33401CA-SGeneral description Features ELM33401CA-S uses advanced trench technology to Vds=-20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-3A resistance. Rds(on)

 7.6. Size:607K  elm
 elm33404ca.pdf

ELM33402CA ELM33402CA

Single N-channel MOSFETELM33404CA-SGeneral description Features ELM33404CA-S uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=3A resistance. Rds(on)

 7.7. Size:480K  elm
 elm33400ca.pdf

ELM33402CA ELM33402CA

Single N-channel MOSFETELM33400CA-SGeneral description Features ELM33400CA-S uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=6A resistance. Rds(on)

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top