DG2N60-220F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DG2N60-220F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm

Тип корпуса: TO220FP

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DG2N60-220F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DG2N60-220F даташит

 8.1. Size:1513K  jiangsu
 dg2n60.pdf pdf_icon

DG2N60-220F

 9.1. Size:1477K  jiangsu
 dg2n65.pdf pdf_icon

DG2N60-220F

Другие IGBT... CMT04N60XN220, CMT04N60GN220FP, CMT04N60XN220FP, CMT04N60GN252, CMT04N60XN252, DG2N60-251, DG2N60-252, DG2N60-220, IRF3205, DG2N60-126, DG2N65-251, DG2N65-252, DG2N65-220, DG2N65-220F, DG2N65-126, DG840, DG840F