DG2N65-126 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DG2N65-126
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
Тип корпуса: TO126
Аналог (замена) для DG2N65-126
DG2N65-126 Datasheet (PDF)
8.1. Size:1477K jiangsu
dg2n65.pdf
dg2n65.pdf
DG2N65V1.0N N-CHANNE ENHANCEMENT MODE MOSFET General Description DG2N65N
9.1. Size:1513K jiangsu
dg2n60.pdf
dg2n60.pdf
JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,LtdDG2N60N 201603-AN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET General DescriptionDG2N60N
Другие MOSFET... DG2N60-252 , DG2N60-220 , DG2N60-220F , DG2N60-126 , DG2N65-251 , DG2N65-252 , DG2N65-220 , DG2N65-220F , IRF540N , DG840 , DG840F , DH100P30 , DH100P30F , DH100P30B , DH100P30D , DH100P30I , DH100P30E .
History: S85N042RP | BSC014N04LSI
History: S85N042RP | BSC014N04LSI
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent