DG2N65-126 - аналоги и даташиты транзистора

 

DG2N65-126 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DG2N65-126
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO126
 

 Аналог (замена) для DG2N65-126

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DG2N65-126 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:1477K  jiangsu
 dg2n65.pdf pdf_icon

DG2N65-126

DG2N65V1.0N N-CHANNE ENHANCEMENT MODE MOSFET General Description DG2N65N

 9.1. Size:1513K  jiangsu
 dg2n60.pdf pdf_icon

DG2N65-126

JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,LtdDG2N60N 201603-AN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET General DescriptionDG2N60N

Другие MOSFET... DG2N60-252 , DG2N60-220 , DG2N60-220F , DG2N60-126 , DG2N65-251 , DG2N65-252 , DG2N65-220 , DG2N65-220F , IRF540 , DG840 , DG840F , DH100P30 , DH100P30F , DH100P30B , DH100P30D , DH100P30I , DH100P30E .

History: STL13N65M2 | RU40120L | IRF7831TR | AP2332GN-HF | JCS10N70F | STL10N65M2 | XP152A11E5MR-G

 

 
Back to Top

 


 
.