DG840 - описание и поиск аналогов

 

DG840. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DG840

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для DG840

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DG840 даташит

 ..1. Size:739K  jiangsu
dg840.pdfpdf_icon

DG840

DG840 V1.0 N N-CHANNE ENHANCEMENT MODE MOSFET General Description DG840 N

Другие MOSFET... DG2N60-220 , DG2N60-220F , DG2N60-126 , DG2N65-251 , DG2N65-252 , DG2N65-220 , DG2N65-220F , DG2N65-126 , 50N06 , DG840F , DH100P30 , DH100P30F , DH100P30B , DH100P30D , DH100P30I , DH100P30E , F6B52HP .

History: STW6N120K3 | BS170ZL1G | ELM34801AA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.