DG840 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DG840
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 139 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 45 nC
Время нарастания (tr): 80 ns
Выходная емкость (Cd): 116 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO220
DG840 Datasheet (PDF)
..1. Size:739K jiangsu
dg840.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
dg840.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DG840V1.0N N-CHANNE ENHANCEMENT MODE MOSFET General Description DG840N
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .