F6B52HP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: F6B52HP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 525 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: FB
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
F6B52HP Datasheet (PDF)
f6b52hp.pdf

P we MOS Eo r F T O T IEU LNUntmmiP cae BakgFF B 2 P6 5H55 A2 V6 F6B52H000A00F aueetr L wRoON S akg MDP cae We b
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: ZXM62P03E6 | SQJ460AEP | AFN4850WS | IRF6217 | 2SK56 | IRC8405 | 7N65KG-T2Q-T
History: ZXM62P03E6 | SQJ460AEP | AFN4850WS | IRF6217 | 2SK56 | IRC8405 | 7N65KG-T2Q-T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor | 2n3394 | 2sb688 | 2sd551