F6B52HP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: F6B52HP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 525 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: FB
Аналог (замена) для F6B52HP
F6B52HP Datasheet (PDF)
f6b52hp.pdf

P we MOS Eo r F T O T IEU LNUntmmiP cae BakgFF B 2 P6 5H55 A2 V6 F6B52H000A00F aueetr L wRoON S akg MDP cae We b
Другие MOSFET... DG840 , DG840F , DH100P30 , DH100P30F , DH100P30B , DH100P30D , DH100P30I , DH100P30E , 10N60 , FP401 , FS2KM-12 , FS2KM-14A , FS2KM-16A , FS2KM-18A , FS2KMJ-3 , FS7KM-14A , FS22SM-9 .
History: STL65DN3LLH5 | SSF1N80D | IRFNG40 | STL58N3LLH5 | BSS138DW | 2SK4213-ZK | WMM08N70C4
History: STL65DN3LLH5 | SSF1N80D | IRFNG40 | STL58N3LLH5 | BSS138DW | 2SK4213-ZK | WMM08N70C4



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor | 2n3394 | 2sb688 | 2sd551