Справочник MOSFET. ELM33413CA

 

ELM33413CA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ELM33413CA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для ELM33413CA

 

 

ELM33413CA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:486K  elm
 elm33413ca.pdf

ELM33413CA ELM33413CA

Single P-channel MOSFETELM33413CA-SGeneral description Features ELM33413CA-S uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-4A resistance. Rds(on)

 7.1. Size:423K  elm
 elm33412ca.pdf

ELM33413CA ELM33413CA

Single N-channel MOSFETELM33412CA-SGeneral description Features ELM33412CA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=6A resistance. Rds(on)

 7.2. Size:398K  elm
 elm33414ca.pdf

ELM33413CA ELM33413CA

Single N-channel MOSFETELM33414CA-SGeneral description Features ELM33414CA-S uses advanced trench technology Vds=60Vto provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=300mA operation with gate voltages as low as 3.5V and internal Rds(on)

 7.3. Size:1575K  elm
 elm33416ca.pdf

ELM33413CA ELM33413CA

Single N-channel MOSFETELM33416CA-SGeneral description Features ELM33416CA-S uses advanced trench technology to Vds=100Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=1.3A resistance. Rds(on)

 7.4. Size:485K  elm
 elm33410ca.pdf

ELM33413CA ELM33413CA

Single N-channel MOSFETELM33410CA-SGeneral description Features ELM33410CA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=5A resistance. Rds(on)

 7.5. Size:610K  elm
 elm33411ca.pdf

ELM33413CA ELM33413CA

Single P-channel MOSFETELM33411CA-SGeneral description Features ELM33411CA-S uses advanced trench technology to Vds=-20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-3A resistance. Rds(on)

 7.6. Size:355K  elm
 elm33415ca.pdf

ELM33413CA ELM33413CA

Single P-channel MOSFETELM33415CA-SGeneral description Features ELM33415CA-S uses advanced trench technology to Vds=-20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-3.5A resistance. Rds(on)

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: FMW30N60S1HF

 

 
Back to Top