Справочник MOSFET. ELM3C1350A

 

ELM3C1350A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ELM3C1350A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 204 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ELM3C1350A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:461K  elm
 elm3c1350a.pdf pdf_icon

ELM3C1350A

Single N-channel MOSFETELM3C1350AGeneral description Features ELM3C1350A uses advanced trench technology to Vds=500Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=13A resistance. Rds(on)

 8.1. Size:576K  elm
 elm3c1260a.pdf pdf_icon

ELM3C1350A

Single N-channel MOSFETELM3C1260AGeneral description Features ELM3C1260A uses advanced trench technology to Vds=600Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=12A resistance. Rds(on)

 9.1. Size:1038K  china
 elm3c0660a.pdf pdf_icon

ELM3C1350A

N MOSFETELM3C0660A ELM3C0660A N Vds=600V MOSFET Id=6A Rds(on)

 9.2. Size:461K  elm
 elm3c0850a.pdf pdf_icon

ELM3C1350A

Single N-channel MOSFETELM3C0850AGeneral description Features ELM3C0850A uses advanced trench technology to Vds=500Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=8A resistance. Rds(on)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRF3711L | SPD04N60C3 | PNMET20V06E | FDC654P | 2SK1501 | FDD5810-F085 | OSG55R074HSZF

 

 
Back to Top

 


 
.