Справочник MOSFET. ELM53406CA

 

ELM53406CA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ELM53406CA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для ELM53406CA

 

 

ELM53406CA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1265K  elm
 elm53406ca.pdf

ELM53406CA ELM53406CA

Single N-channel MOSFETELM53406CA-SGeneral description Features ELM53406CA-S uses advanced trench technology to Vds=60Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=3.6A (Vgs=10V)resistance. Rds(on)

 7.1. Size:1264K  elm
 elm53402ca.pdf

ELM53406CA ELM53406CA

Single N-channel MOSFETELM53402CA-SGeneral description Features ELM53402CA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=3.6Aresistance. Rds(on)

 7.2. Size:1303K  elm
 elm53401ca.pdf

ELM53406CA ELM53406CA

Single P-channel MOSFETELM53401CA-SGeneral description Features ELM53401CA-S uses advanced trench technology to Vds=-20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-1.8A resistance. Rds(on)

 7.3. Size:1276K  elm
 elm53403ca.pdf

ELM53406CA ELM53406CA

Single P-channel MOSFETELM53403CA-SGeneral description Features ELM53403CA-S uses advanced trench technology to Vds=-60Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-3.6A resistance. Rds(on)

 7.4. Size:1827K  elm
 elm53405ca-s.pdf

ELM53406CA ELM53406CA

Single P-channel MOSFETELM53405CA-SGeneral description Features ELM53405CA-S uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-3.6A resistance. Rds(on)

 7.5. Size:1306K  elm
 elm53400ca.pdf

ELM53406CA ELM53406CA

Single N-channel MOSFETELM53400CA-SGeneral description Features ELM53400CA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=1.8A (Vgs=4.5V)resistance. Rds(on)

 7.6. Size:1556K  elm
 elm53404ca-s.pdf

ELM53406CA ELM53406CA

Single N-channel MOSFETELM53404CA-SGeneral description Features ELM53404CA-S uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=3.6Aresistance. Rds(on)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: CHM2362GP | FDI150N10 | FDG6318PZ

 

 
Back to Top