SDF034JAA-D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SDF034JAA-D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 110(max) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: TO254
Аналог (замена) для SDF034JAA-D
SDF034JAA-D Datasheet (PDF)
sdf03n80 sdp03n80.pdf

SDP03N80SDF03N80aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.800V 3.0A 3.3 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package.DGG D S G D SSDP SERIES SDF SERIESTO-220 TO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package M
Другие MOSFET... RFP8P06LE , RFP8P10 , RFT1P06E , RFT2P03L , RFT3055LE , RFW2N06RLE , RLP1N06CLE , SD10425JAA , 2SK3918 , SDF034JAA-S , SDF034JAA-U , SDF034JAB-D , SDF034JAB-S , SDF034JAB-U , SDF044JAA-D , SDF044JAA-S , SDF044JAA-U .
History: IPSA70R750P7S | UT2316G-AE3-R | SM3113NSUC | RU6H4R | HGK210N20S | AU6N70S | UT3N10L-TN3-R
History: IPSA70R750P7S | UT2316G-AE3-R | SM3113NSUC | RU6H4R | HGK210N20S | AU6N70S | UT3N10L-TN3-R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306