Справочник MOSFET. ELM544634A

 

ELM544634A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ELM544634A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.8 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 22 nC
   Время нарастания (tr): 12 ns
   Выходная емкость (Cd): 480 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для ELM544634A

 

 

ELM544634A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1276K  elm
 elm544634a.pdf

ELM544634A ELM544634A

Single N-channel MOSFETELM544634A-NGeneral description Features ELM544634A-N uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=18A resistance. Rds(on) = 5.8m (Vgs=10V) Rds(on) = 7.2m (Vgs=4.5V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source voltage Vds 30 VGate-source voltage Vgs

 8.1. Size:1738K  elm
 elm544539a.pdf

ELM544634A ELM544634A

Complementary MOSFET ELM544539A-NGeneral Description Features ELM544539A-N uses advanced trench technology N-channelto provide excellent Rds(on) and low gate charge. Vds=30V, Id=5.0A, Rds(on)=36m(Vgs=10V) Vds=30V, Id=4.7A, Rds(on)=46m(Vgs=4.5V) P-channel Vds=-30V, Id=-5.4A, Rds(on)=62m(Vgs=-10V) Vds=-30V, Id=-4.2A, Rds(on)=90m(Vgs=-4.5V)Maximum Absol

 8.2. Size:2807K  elm
 elm544599a.pdf

ELM544634A ELM544634A

Complementary MOSFET ELM544599A-NGeneral Description Features ELM544599A-N uses advanced trench technology N-channelto provide excellent Rds(on) and low gate charge. Vds=40V, Id=8.0A, Rds(on)=22m(Vgs=10V) Vds=40V, Id=6.0A, Rds(on)=28m(Vgs=4.5V) P-channel Vds=-40V, Id=-7.2A, Rds(on)=42m(Vgs=-10V) Vds=-40V, Id=-6.2A, Rds(on)=60m(Vgs=-4.5V)Maximum Abso

 9.1. Size:1172K  elm
 elm549407a.pdf

ELM544634A ELM544634A

Single P-channel MOSFETELM549407A-NGeneral description Features ELM549407A-N uses advanced trench technology to Vds=-60Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-4.6Aresistance. Rds(on)

 9.2. Size:377K  elm
 elm54801aa.pdf

ELM544634A ELM544634A

Dual P-channel MOSFETELM54801AA-NGeneral description Features ELM54801AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on) and low gate charge. Id=-5A (Vgs=-10V) Rds(on)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top