SDF034JAB-S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SDF034JAB-S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 110(max) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: TO254
Аналог (замена) для SDF034JAB-S
SDF034JAB-S Datasheet (PDF)
sdf03n80 sdp03n80.pdf
SDP03N80SDF03N80aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.800V 3.0A 3.3 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package.DGG D S G D SSDP SERIES SDF SERIESTO-220 TO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package M
Другие MOSFET... RFT3055LE , RFW2N06RLE , RLP1N06CLE , SD10425JAA , SDF034JAA-D , SDF034JAA-S , SDF034JAA-U , SDF034JAB-D , AO4407A , SDF034JAB-U , SDF044JAA-D , SDF044JAA-S , SDF044JAA-U , SDF044JAB-D , SDF044JAB-S , SDF044JAB-U , SDF054JAA-D .
History: AFN06N60T251T | SQ3418AEEV | PTA08N100 | NCEAP60T15G | NCEP030N60AGU | SDF034JAB-D
History: AFN06N60T251T | SQ3418AEEV | PTA08N100 | NCEAP60T15G | NCEP030N60AGU | SDF034JAB-D
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM608C | AGM6080D | AGM6080C | AGM6070A | AGM606S | AGM605Q | AGM605F | AGM605C | AGM605A | AGM603F | AGM603D | AGM603C | AGM6035F | AGM6035A | AGM602C | AGM40P75D
Popular searches
2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor | 2n3394 | 2sb688 | 2sd551



