Справочник MOSFET. F16F60CPM

 

F16F60CPM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: F16F60CPM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.199 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для F16F60CPM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

F16F60CPM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  shindengen
 f16f60cpm.pdf pdf_icon

F16F60CPM

P we MOS Eo r F T OUT IELNUntimmP cae T 20 pnakgF O-2A i3F 6 6C M1F 0 P 60 60 V1A 0000 16F60CPMF aueetr Hg otgihV lae L wRoON

Другие MOSFET... F11F60C3M , F11F60CPM , F11F80C3M , F11S80C3 , F12F50VX2 , F12W50VX2 , F15F60C3M , F15W50VX2 , 20N50 , F20F60C3M , F20S60C3 , F20W50VX2 , F20W60C3 , F21F60CPM , F24W60C3 , F25F60CPM , F31W60CP .

History: CJ3139KDW | CEB6060N | IXTQ96N15P | FDS5170N7

 

 
Back to Top

 


 
.