SDF034JAB-U - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SDF034JAB-U
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 110(max) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: TO254
Аналог (замена) для SDF034JAB-U
SDF034JAB-U Datasheet (PDF)
sdf03n80 sdp03n80.pdf
SDP03N80SDF03N80aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.800V 3.0A 3.3 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package.DGG D S G D SSDP SERIES SDF SERIESTO-220 TO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package M
Другие MOSFET... RFW2N06RLE , RLP1N06CLE , SD10425JAA , SDF034JAA-D , SDF034JAA-S , SDF034JAA-U , SDF034JAB-D , SDF034JAB-S , 60N06 , SDF044JAA-D , SDF044JAA-S , SDF044JAA-U , SDF044JAB-D , SDF044JAB-S , SDF044JAB-U , SDF054JAA-D , SDF054JAA-S .
History: APT6013B2FLL | NCEAP60ND30AG | SVS7N60DD2TR | 2SK3663 | IRFBC30SPBF | NCEAP60ND60G | SFF40N30ZUB
History: APT6013B2FLL | NCEAP60ND30AG | SVS7N60DD2TR | 2SK3663 | IRFBC30SPBF | NCEAP60ND60G | SFF40N30ZUB
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM608C | AGM6080D | AGM6080C | AGM6070A | AGM606S | AGM605Q | AGM605F | AGM605C | AGM605A | AGM603F | AGM603D | AGM603C | AGM6035F | AGM6035A | AGM602C | AGM40P75D
Popular searches
c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor | 2n3394 | 2sb688 | 2sd551 | ac128 datasheet



