F3V50VX2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: F3V50VX2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
Выходная емкость (Cd): 90 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.3 Ohm
Тип корпуса: TO-220
F3V50VX2 Datasheet (PDF)
..1. Size:188K shindengen
f3v50vx2.pdf
f3v50vx2.pdf
SHINDENGENVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2180Case : E-packCase : TO-220(Unit : mm)(F3V50VX2)500V3AFEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast.APPLICATION Switching power supply of AC 100V input High v
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
