Справочник MOSFET. F7F60C3M

 

F7F60C3M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: F7F60C3M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для F7F60C3M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

F7F60C3M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  shindengen
 f7f60c3m.pdf pdf_icon

F7F60C3M

P we MOS Eo r F T O T IEU LNUntmmiP cae T 20akgF O-2AF F 0 37 6C M 6 0 A0 V7 00007F60C3M F aueetrL wRoONFsS tat wihncig Ioae akgsltd

Другие MOSFET... F5F50VX2 , F5F90HVX2 , F5S90HVX2 , F5V50 , F5V90HVX2 , F60W60CP , F6B52HP , F6F70HVX2 , EMB04N03H , F7W90HVX2 , FA38SA50LCP , FA57SA50LCP , FC40SA50FKP , FC4A22050L , FC4B21080L , FC4B21300L , FC4B21320L .

History: NTMFD5C650NL | 10N60G-TF1-T | LBSS138LT1G | FCP099N65S3 | NTD15N06L-001 | STP2N62K3

 

 
Back to Top

 


 
.