Справочник MOSFET. F7F60C3M

 

F7F60C3M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: F7F60C3M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 28 nC
   Время нарастания (tr): 15 ns
   Выходная емкость (Cd): 250 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для F7F60C3M

 

 

F7F60C3M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  shindengen
f7f60c3m.pdf

F7F60C3M
F7F60C3M

P we MOS Eo r F T O T IEU LNUntmmiP cae T 20akgF O-2AF F 0 37 6C M 6 0 A0 V7 00007F60C3M F aueetrL wRoONFsS tat wihncig Ioae akgsltd

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FCPF7N60T

 

 
Back to Top