FC4B21300L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FC4B21300L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.32 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
Тип корпуса: ALGA004
Аналог (замена) для FC4B21300L
FC4B21300L Datasheet (PDF)
fc4b21300l.pdf

Doc No. TT4-EA-15010Revision. 1Product StandardsMOS FETFC4B21300LFC4B21300LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mm For lithium-ion secondary battery protection circuits0.64 3 Features Source-source ON resistance:Rss(on) typ. = 70 mVGS = 4.5 V) CSP(Chip Size Package)1 2 RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)0.15 Ma
fc4b21320l.pdf

Doc No. TT4-EA-15001Revision. 1Product StandardsMOS FETFC4B21320LFC4B21320LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mm For lithium-ion secondary battery protection circuits0.84 3 Features Source-source ON resistance:Rss(on) typ. = 36 mVGS = 4.5 V)1 2 CSP(Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant) 0.2 Mark
fc4b21080l.pdf

Doc No. TT4-EA-14176Revision. 2Product StandardsMOS FETFC4B21080LFC4B21080LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETPackage dimension Unit: mmFor lithium-ion secondary battery protection circuits1.114 3 Features1 2 Low source-source ON resistance:Rss(on) typ. = 27 m VGS = 4.5 V) CSP package:smallest & thinnest size RoHS compliant (EU Ro
fc4b22180l.pdf

Doc No. TT4-EA-14949Revision. 1Product StandardsMOS FETFC4B22180LFC4B22180LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mm For lithium-ion secondary battery protection circuits1.744 3 Features Low source-source ON resistance:Rss(on) typ. = 9.4 mVGS = 4.5 V)1 2 CSPChip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)0.3 Marking S
Другие MOSFET... F6F70HVX2 , F7F60C3M , F7W90HVX2 , FA38SA50LCP , FA57SA50LCP , FC40SA50FKP , FC4A22050L , FC4B21080L , AO4468 , FC4B21320L , FC4B22070L , FC4B22180L , FC551601 , FC591301 , FC591601 , FC654601 , FC694301 .
History: STN3N45K3 | HM3407B | AP65SL600DH | STU600S | 2N7002LL | AP60SL650AFH
History: STN3N45K3 | HM3407B | AP65SL600DH | STU600S | 2N7002LL | AP60SL650AFH



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84 | c6090