FC4B21320L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FC4B21320L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.34 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 150 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
Тип корпуса: XLGA004
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FC4B21320L Datasheet (PDF)
fc4b21320l.pdf

Doc No. TT4-EA-15001Revision. 1Product StandardsMOS FETFC4B21320LFC4B21320LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mm For lithium-ion secondary battery protection circuits0.84 3 Features Source-source ON resistance:Rss(on) typ. = 36 mVGS = 4.5 V)1 2 CSP(Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant) 0.2 Mark
fc4b21300l.pdf

Doc No. TT4-EA-15010Revision. 1Product StandardsMOS FETFC4B21300LFC4B21300LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mm For lithium-ion secondary battery protection circuits0.64 3 Features Source-source ON resistance:Rss(on) typ. = 70 mVGS = 4.5 V) CSP(Chip Size Package)1 2 RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)0.15 Ma
fc4b21080l.pdf

Doc No. TT4-EA-14176Revision. 2Product StandardsMOS FETFC4B21080LFC4B21080LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETPackage dimension Unit: mmFor lithium-ion secondary battery protection circuits1.114 3 Features1 2 Low source-source ON resistance:Rss(on) typ. = 27 m VGS = 4.5 V) CSP package:smallest & thinnest size RoHS compliant (EU Ro
fc4b22180l.pdf

Doc No. TT4-EA-14949Revision. 1Product StandardsMOS FETFC4B22180LFC4B22180LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mm For lithium-ion secondary battery protection circuits1.744 3 Features Low source-source ON resistance:Rss(on) typ. = 9.4 mVGS = 4.5 V)1 2 CSPChip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)0.3 Marking S
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: BF997 | AO6804A | FK8V06120L | F4F60VX2 | WMJ38N60C2 | SJMN380R65D | 2SK1773
History: BF997 | AO6804A | FK8V06120L | F4F60VX2 | WMJ38N60C2 | SJMN380R65D | 2SK1773



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta