FC694308. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FC694308
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.125 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 6.8 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: SSMINI6-F3-B
Аналог (замена) для FC694308
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FC694308 даташит
fc694308.pdf
Doc No. TT4-EA-14570 Revision. 2 Product Standards MOS FET FC694308ER FC694308ER Dual N-channel MOSFET Unit mm For switching circuits 1.6 0.2 0.13 6 5 4 Features Low drive voltage 2.5 V drive Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) 1 2 3 (0.6) Marking Symbol V9 (0.5)(0.5) 1.0 Basic Part Number Dual FK33
fc694301.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). FC694301 Silicon N-channel MOS FET For switching circuits Overview Package FC694301 is dual N-channel small signal MOS FET employed small size Code surface mounting package. SSMini6-F3-B Package dimension clicks here. Click! Features High-speed switching Pin Name Low drain-source ON resis
fc694309.pdf
Doc No. TT4-EA-14543 Revision. 2 Product Standards MOS FET FC694309ER FC694309ER Dual N-channel MOSFET Unit mm For switching circuits 1.6 0.2 0.13 6 5 4 Features Low drive voltage 1.5 V drive Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) 1 2 3 (0.6) Marking Symbol X9 (0.5)(0.5) 1.0 Basic Part Number Dual FK33
fc694601.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). FC694601 Silicon N-channel MOS FET For switching circuits Overview Package FC694601 is N-channel dual type small signal MOS FET employed small size Code surface mounting package. SSMini6-F3-B Package dimension clicks here. Click! Features Low drain-source ON resistance RDS(on) typ. = 6 W (VGS = 4.
Другие MOSFET... FC4B21320L , FC4B22070L , FC4B22180L , FC551601 , FC591301 , FC591601 , FC654601 , FC694301 , IRF540N , FC694309 , FC694601 , FC6A21060L , FC6B21100L , FC6B21150L , FC6B22090L , FC6B22100L , FC6B22160L .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor




