FC694309 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FC694309
Маркировка: X9
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
Тип корпуса: SSMINI6-F3-B
FC694309 Datasheet (PDF)
fc694309.pdf
Doc No. TT4-EA-14543Revision. 2Product StandardsMOS FETFC694309ERFC694309ERDual N-channel MOSFETUnit : mm For switching circuits1.60.2 0.136 5 4 Features Low drive voltage : 1.5 V drive Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 compliant)1 2 3(0.6) Marking Symbol :X9(0.5)(0.5)1.0 Basic Part Number Dual FK33
fc694308.pdf
Doc No. TT4-EA-14570Revision. 2Product StandardsMOS FETFC694308ERFC694308ERDual N-channel MOSFETUnit : mm For switching circuits1.60.2 0.136 5 4 Features Low drive voltage : 2.5 V drive Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 compliant)1 2 3(0.6) Marking Symbol :V9(0.5)(0.5)1.0 Basic Part Number Dual FK33
fc694301.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FC694301Silicon N-channel MOS FETFor switching circuits Overview PackageFC694301 is dual N-channel small signal MOS FET employed small size Codesurface mounting package. SSMini6-F3-BPackage dimension clicks here. Click! Features High-speed switching Pin Name Low drain-source ON resis
fc694601.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FC694601Silicon N-channel MOS FETFor switching circuits Overview PackageFC694601 is N-channel dual type small signal MOS FET employed small size Codesurface mounting package. SSMini6-F3-BPackage dimension clicks here. Click! Features Low drain-source ON resistance: RDS(on) typ. = 6 W (VGS = 4.
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918