Справочник MOSFET. FJ4B0111

 

FJ4B0111 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FJ4B0111
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.153 Ohm
   Тип корпуса: ALGA004
 

 Аналог (замена) для FJ4B0111

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FJ4B0111 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2778K  panasonic
 fj4b0111.pdf pdf_icon

FJ4B0111

Doc No. TT4-EA-14953Revision. 1Product StandardsMOS FETFJ4B01110LFJ4B01110LSingle P-channel MOS FETUnit: mmFor Load switching circuits0.6043TOP Features Drain-source ON resistance:Rds(on) typ. = 141 m( VGS = -2.5 V )1 2 CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)0.15 Marking Symbol: 1EBOTTOM Packaging

 7.1. Size:2759K  panasonic
 fj4b0110.pdf pdf_icon

FJ4B0111

Doc No. TT4-EA-14958Revision. 1Product StandardsMOS FETFJ4B01100LFJ4B01100LSingle P-channel MOS FETUnit: mmFor Load switching circuits0.804 3TOP Features Low Drain-source ON resistance:Rds(on) typ. = 68 m(VGS = -2.5 V)1 2 CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)0.20 Marking Symbol: 1DBOTTOM Packaging

 7.2. Size:2749K  panasonic
 fj4b0112.pdf pdf_icon

FJ4B0111

Doc No. TT4-EA-14960Revision. 1Product StandardsMOS FETFJ4B01120LFJ4B01120LSingle P-channel MOS FETUnit: mmFor Load switching circuits1.04 3TOP Features Low Drain-source ON resistance:Rds(on) typ. = 40 mVGS = -2.5 V)1 2 CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)0.25 Marking Symbol: 1FBOTTOM Packaging

 8.1. Size:714K  panasonic
 fj4b0124.pdf pdf_icon

FJ4B0111

Doc No. TT4-EA-15007Revision. 1Product StandardsMOS FETFJ4B01240LFJ4B01240LSingle P-channel MOS FETUnit: mmFor Load switching / Battery Management circuitsTOP Features Low Drain-source ON resistance:Rds(on) typ. = 21 mVGS = -3.2 V) CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant) Marking Symbol: 1JBOTTOM Packaging

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FIR18N20G , FIR210N06G , FIR75N06G , FIR75N075G , FJ330301 , FJ3303010L , FJ350301 , FJ4B0110 , SPP20N60C3 , FJ4B0112 , FJ4B0124 , FJ6K0101 , FJ6K01010L , FK330301 , FK3303010L , FK330307 , FK330308 .

History: IXTH75N10L2 | UF830L-TM3-T | AP2864I-A-HF | PH1330AL | MX2N5116 | TK12A65D

 

 
Back to Top

 


 
.