FK330601. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FK330601
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
Тип корпуса: SSSMINI3-F2-B
Аналог (замена) для FK330601
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FK330601 даташит
fk330601.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). FK330601 Silicon N-channel MOS FET For switching circuits Overview Package FK330601 is N-channel small signal MOS FET employed small size surface Code mounting package. SSSMini3-F2-B Pin Name Features 1 Gate Low drain-source ON resistance RDS(on) typ. = 6 W (VGS = 4.0 V) 2 Source High-s
fk3306010l.pdf
Doc No. TT4-EA-12592 Revision. 2 Product Standards MOS FET FK3306010L FK3306010L Silicon N-channel MOSFET Unit mm For switching 1.2 FK350601 in SSSMini3 type package 0.3 0.13 3 Features Low drive voltage 2.5 V drive Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) 12 Marking Symbol CV 0.2 0.52 (0.4)(0.4) Packaging 0.8
fk3303010l.pdf
Doc No. TT4-EA-12576 Revision. 3 Product Standards MOS FET FK3303010L FK3303010L Silicon N-channel MOS FET Unit mm For switching 1.2 FK350301 in SSSMini3 type package 0.3 0.13 3 Features Low drive voltage 2.5 V drive Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) 12 0.2 0.52 Marking Symbol X1 (0.4)(0.4) 0.8 Packaging Em
fk330301.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). FK330301 Silicon N-channel MOS FET For switching circuits Overview Package FK330301 is N-channel small signal MOS FET employed small size surface Code mounting package. SSSMini3-F2-B Pin Name Features 1 Gate Low drain-source ON resistance RDS(on) typ. = 2 W (VGS = 4.0 V) 2 Source Small
Другие MOSFET... FJ4B0124 , FJ6K0101 , FJ6K01010L , FK330301 , FK3303010L , FK330307 , FK330308 , FK330309 , IRF1010E , FK3306010L , FK350301 , FK350601 , FK3506010L , FK360602 , FK390601 , FK3906010L , FK3F0301 .
History: NTMFS5C609NLT1G
History: NTMFS5C609NLT1G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet | d2390 datasheet







