Справочник MOSFET. SDF054JAB-D

 

SDF054JAB-D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SDF054JAB-D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 150(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 450(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO254

 Аналог (замена) для SDF054JAB-D

 

 

SDF054JAB-D Datasheet (PDF)

 8.1. Size:169K  solitron
 sdf054.pdf

SDF054JAB-D

 9.1. Size:119K  samhop
 sdf05n40t.pdf

SDF054JAB-D SDF054JAB-D

SDF05N40TaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.400V 5A 2.4 @ VGS=10V Suface Mount Package.DGG D SSDF SERIESTO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package Marking Code Delivery Mode RoHS StatusTu

 9.2. Size:190K  samhop
 sdf05n50 sdp05n50.pdf

SDF054JAB-D SDF054JAB-D

SDP05N50SDF05N50aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.3N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.500V 5A 1.35 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package.DGG D S G D SSDP SERIES SDF SERIESTO-220 TO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package Ma

Другие MOSFET... SDF044JAA-S , SDF044JAA-U , SDF044JAB-D , SDF044JAB-S , SDF044JAB-U , SDF054JAA-D , SDF054JAA-S , SDF054JAA-U , IRF540N , SDF054JAB-S , SDF054JAB-U , SDF100NA40HI , SDF100NA40JD , SDF10N100JEA , SDF10N100JEB , SDF10N100JEC , SDF10N100JED .

 

 

Back to Top