SDF054JAB-D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDF054JAB-D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 450 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO254

Аналог (замена) для SDF054JAB-D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF054JAB-D даташит

 8.1. Size:169K  solitron
sdf054.pdfpdf_icon

SDF054JAB-D

 9.1. Size:119K  samhop
sdf05n40t.pdfpdf_icon

SDF054JAB-D

SDF05N40T a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ Rugged and reliable. 400V 5A 2.4 @ VGS=10V Suface Mount Package. D G G D S SDF SERIES TO-220F S ORDERING INFORMATION Ordering Code Package Marking Code Delivery Mode RoHS Status Tu

 9.2. Size:190K  samhop
sdf05n50 sdp05n50.pdfpdf_icon

SDF054JAB-D

SDP05N50 SDF05N50 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.3 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ Rugged and reliable. 500V 5A 1.35 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package. D G G D S G D S SDP SERIES SDF SERIES TO-220 TO-220F S ORDERING INFORMATION Ordering Code Package Ma

Другие IGBT... SDF044JAA-S, SDF044JAA-U, SDF044JAB-D, SDF044JAB-S, SDF044JAB-U, SDF054JAA-D, SDF054JAA-S, SDF054JAA-U, IRF540, SDF054JAB-S, SDF054JAB-U, SDF100NA40HI, SDF100NA40JD, SDF10N100JEA, SDF10N100JEB, SDF10N100JEC, SDF10N100JED