SDF100NA40HI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SDF100NA40HI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 833 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 140(max) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: NA
Аналог (замена) для SDF100NA40HI
SDF100NA40HI Datasheet (PDF)
sdf10n60 sdp10n60 sdp10n60.pdf

SDP10N60SDF10N60aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () TypVDSS IDRugged and reliable.600V 10A 0.62 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package.DG D S G D S GSDP SERIES SDF SERIESTO-220 TO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package M
Другие MOSFET... SDF044JAB-S , SDF044JAB-U , SDF054JAA-D , SDF054JAA-S , SDF054JAA-U , SDF054JAB-D , SDF054JAB-S , SDF054JAB-U , IRF640 , SDF100NA40JD , SDF10N100JEA , SDF10N100JEB , SDF10N100JEC , SDF10N100JED , SDF10N100SXH , SDF10N60 , SDF10N90GAF .
History: TSP8N60M | STM4433A | SUD23N06-31L | AOL1208 | CM10N40 | FDU6644
History: TSP8N60M | STM4433A | SUD23N06-31L | AOL1208 | CM10N40 | FDU6644



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331