APM2509NU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APM2509NU  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APM2509NU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APM2509NU даташит

 ..1. Size:200K  anpec
 apm2509nu.pdf pdf_icon

APM2509NU

APM2509NU N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 25V/50A , RDS(ON)=7.5m (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=13m (typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Avalanche Rated Top View of TO-252 Reliable and Rugged D Lead Free Available (RoHS Compliant) Applications G Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters S N-Channel MOSFET Orderi

 9.1. Size:168K  anpec
 apm2510nu.pdf pdf_icon

APM2509NU

APM2510NU N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 25V/50A, RDS(ON)=8.5m (typ.) @ VGS=10V G D RDS(ON)=15m (typ.) @ VGS=4.5V S Super High Dense Cell Design Avalanche Rated Top View of TO-252 Reliable and Rugged D Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications G Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters S N-Ch

 9.2. Size:168K  anpec
 apm2556nu.pdf pdf_icon

APM2509NU

APM2556NU N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 25V/60A, RDS(ON)=4.5m (typ.) @ VGS=10V G D RDS(ON)=7.5m (typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design S Reliable and Rugged Top View of TO-252 Lead Free and Green Devices Available D (RoHS Compliant) Applications G Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters S N-Channel MOSFET

 9.3. Size:180K  anpec
 apm2513nu.pdf pdf_icon

APM2509NU

APM2513NU N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 25V/40A, RDS(ON)=10.5m (typ.) @ VGS=10V G D RDS(ON)=16m (typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design S Avalanche Rated Top View of TO-252 Reliable and Rugged D Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G Applications Power Management in Desktop Computer or S DC/DC Converters N-Cha

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FS14UM-10, DMG4712SSS, BRCS4435SC, B0210D, 2SK4119LS, 2SK4098LS, 3N128, 3N143, IRF9540, CHM04N10ZPT, DTP4503, IRF60R217, PFP12N65, PFF12N65, PK6D0BA, SVF830T, SVF830D