Справочник MOSFET. APM2509NU

 

APM2509NU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APM2509NU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для APM2509NU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APM2509NU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  anpec
 apm2509nu.pdf pdf_icon

APM2509NU

APM2509NUN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 25V/50A , RDS(ON)=7.5m(typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=13m(typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Avalanche Rated Top View of TO-252 Reliable and RuggedD Lead Free Available (RoHS Compliant)ApplicationsG Power Management in Desktop Computer or DC/DC ConvertersSN-Channel MOSFETOrderi

 9.1. Size:168K  anpec
 apm2510nu.pdf pdf_icon

APM2509NU

APM2510NUN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 25V/50A,RDS(ON)=8.5m (typ.) @ VGS=10VG DRDS(ON)=15m (typ.) @ VGS=4.5VS Super High Dense Cell Design Avalanche Rated Top View of TO-252 Reliable and RuggedD Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)ApplicationsG Power Management in Desktop Computer orDC/DC ConvertersSN-Ch

 9.2. Size:168K  anpec
 apm2556nu.pdf pdf_icon

APM2509NU

APM2556NUN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 25V/60A,RDS(ON)=4.5m (typ.) @ VGS=10VG DRDS(ON)=7.5m (typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell DesignS Reliable and Rugged Top View of TO-252 Lead Free and Green Devices AvailableD (RoHS Compliant)ApplicationsG Power Management in Desktop Computer orDC/DC ConvertersSN-Channel MOSFET

 9.3. Size:180K  anpec
 apm2513nu.pdf pdf_icon

APM2509NU

APM2513NUN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 25V/40A,RDS(ON)=10.5m (typ.) @ VGS=10VG DRDS(ON)=16m (typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design S Avalanche Rated Top View of TO-252 Reliable and RuggedD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)GApplications Power Management in Desktop Computer orSDC/DC ConvertersN-Cha

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FS14UM-10 , DMG4712SSS , BRCS4435SC , B0210D , 2SK4119LS , 2SK4098LS , 3N128 , 3N143 , K3569 , CHM04N10ZPT , DTP4503 , IRF60R217 , PFP12N65 , PFF12N65 , PK6D0BA , SVF830T , SVF830D .

History: IRFH5255 | KF12N68F | IRHM57Z60 | EMF02P02H | SI2366DS | FTE11N06G | SML5025HN

 

 
Back to Top

 


 
.