SDF10N100JED. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDF10N100JED

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO254

Аналог (замена) для SDF10N100JED

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF10N100JED даташит

 5.1. Size:165K  solitron
 sdf10n100.pdf pdf_icon

SDF10N100JED

 8.1. Size:453K  samhop
 sdf10n60 sdp10n60 sdp10n60.pdf pdf_icon

SDF10N100JED

SDP10N60 SDF10N60 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) ( ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 600V 10A 0.62 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package. D G D S G D S G SDP SERIES SDF SERIES TO-220 TO-220F S ORDERING INFORMATION Ordering Code Package M

 8.2. Size:159K  solitron
 sdf10n90.pdf pdf_icon

SDF10N100JED

 8.3. Size:165K  solitron
 sdf10n60.pdf pdf_icon

SDF10N100JED

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SDF054JAB-D, SDF054JAB-S, SDF054JAB-U, SDF100NA40HI, SDF100NA40JD, SDF10N100JEA, SDF10N100JEB, SDF10N100JEC, IRF640N, SDF10N100SXH, SDF10N60, SDF10N90GAF, SDF11N100GAF, SDF11N90GAF, SDF120JAA-D, SDF120JAA-S, SDF120JAA-U