Справочник MOSFET. N0301N

 

N0301N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: N0301N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для N0301N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

N0301N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:253K  renesas
 n0301n.pdf pdf_icon

N0301N

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 9.1. Size:252K  renesas
 n0301p.pdf pdf_icon

N0301N

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие MOSFET... SVF830T , SVF830D , SVF830MJ , SVF830FJ , SVF830F , N0100P , N0300N , N0300P , TK10A60D , N0301P , N0302P , N0400P , N0412N , N0413N , NT4N03 , NTA4001NT1 , NTA4151PT1 .

History: ME2301DC-G | HYG210P06LQ1V | IPD75N04S4-06 | G30N03D3 | AOD2544 | AP0603GM | HD50N06D

 

 
Back to Top

 


 
.