NTB23N03RG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTB23N03RG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.76 nC
trⓘ - Время нарастания: 14.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для NTB23N03RG
NTB23N03RG Datasheet (PDF)
..1. Size:87K onsemi
ntb23n03r ntb23n03rg.pdf
ntb23n03r ntb23n03rg.pdf
NTB23N03RPower MOSFET23 Amps, 25 VoltsN-Channel D2PAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgehttp://onsemi.comcircuits.Features23 AMPERES, 25 VOLTS Pb-Free Packages are AvailableRDS(on) = 32 mW (Typ)Typical ApplicationsN-CHANNEL Planar HD3e Process for Fast Switching Performance
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
