NTB23N03RG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTB23N03RG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для NTB23N03RG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTB23N03RG даташит

 ..1. Size:87K  onsemi
 ntb23n03r ntb23n03rg.pdf pdf_icon

NTB23N03RG

NTB23N03R Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N-Channel D2PAK Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge http //onsemi.com circuits. Features 23 AMPERES, 25 VOLTS Pb-Free Packages are Available RDS(on) = 32 mW (Typ) Typical Applications N-CHANNEL Planar HD3e Process for Fast Switching Performance

Другие IGBT... NTA4153NT1, NTA7002NT1, NTB125N02R, NTB13N10, NTB18N06, NTB18N06G, NTB18N06L, NTB23N03R, IRFP250, NTB25P06G, NTB27N06LT4, NTB30N06G, NTB30N06L, NTB30N20, NTB35N15G, NTB4302, NTB45N06G