Справочник MOSFET. NTB4302

 

NTB4302 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTB4302
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0093 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для NTB4302

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTB4302 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  onsemi
 ntb4302 ntp4302 ntp4302 ntb4302.pdf pdf_icon

NTB4302

NTP4302, NTB4302Power MOSFET74 Amps, 30 VoltsN-Channel TO-220 & D2PAKhttp://onsemi.comFeatures Low RDS(on)VDSS RDS(ON) MAX ID MAX Higher Efficiency Extending Battery Life30 V9.3 mW @ 10 V74 A Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery Avalanche Energy SpecifiedN-ChannelD IDSS Specified at Elevated Temperature Pb-Free Packages are AvailableTypi

Другие MOSFET... NTB23N03R , NTB23N03RG , NTB25P06G , NTB27N06LT4 , NTB30N06G , NTB30N06L , NTB30N20 , NTB35N15G , 7N60 , NTB45N06G , NTB45N06LG , NTB52N10G , NTB5404NT4G , NTB5405NG , NTB5411NT4G , NTB5412NT4G , NTB5426NT4G .

History: SIE864DF | HCS70R710ST | EMB12P03G | HY3208P | AFN1520 | RUM002N02 | RJK1021DPN

 

 
Back to Top

 


 
.