SDF11N100GAF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDF11N100GAF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.15 Ohm

Тип корпуса: TO254

Аналог (замена) для SDF11N100GAF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF11N100GAF даташит

 5.1. Size:161K  solitron
 sdf11n100.pdf pdf_icon

SDF11N100GAF

 8.1. Size:153K  solitron
 sdf11n90.pdf pdf_icon

SDF11N100GAF

Другие IGBT... SDF100NA40JD, SDF10N100JEA, SDF10N100JEB, SDF10N100JEC, SDF10N100JED, SDF10N100SXH, SDF10N60, SDF10N90GAF, IRF3710, SDF11N90GAF, SDF120JAA-D, SDF120JAA-S, SDF120JAA-U, SDF120JAB-D, SDF120JAB-S, SDF120JAB-U, SDF120JDA-D