NTD12N10G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTD12N10G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для NTD12N10G
NTD12N10G Datasheet (PDF)
ntd12n10g ntd12n10t4.pdf

NTD12N10Power MOSFET12 Amps, 100 VoltsN-Channel Enhancement-Mode DPAKhttp://onsemi.comFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a DiscreteV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXFast Recovery Diode100 V 165 mW @ 10 V 12 A Avalanche Energy Specified IDSS and RDS(on) Specified at Elevated TemperatureN-Channel Mounting Information Provided for the DPAK Pac
ntd12n10.pdf

NTD12N10Power MOSFET12 Amps, 100 VoltsN-Channel Enhancement-Mode DPAKhttp://onsemi.comFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a DiscreteV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXFast Recovery Diode100 V 165 mW @ 10 V 12 A Avalanche Energy Specified IDSS and RDS(on) Specified at Elevated TemperatureN-Channel Mounting Information Provided for the DPAK Pac
ntd12n10-1g.pdf

NTD12N10-1Gwww.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature0.115 at VGS = 10 V15 100 % Rg Tested1000.120 at VGS = 6 V 15APPLICATIONS Primary Side SwitchTO-251DGSG D SN-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwi
Другие MOSFET... NTB75N03R , NTB75N06G , NTB75N06L , NTB85N03 , NTB90N02 , NTBV45N06 , NTBV45N06L , NTD110N02RG , 5N50 , NTD12N10T4 , NTD14N03R-1G , NTD14N03RG , NTD15N06-001 , NTD15N06L-001 , NTD18N06 , NTD18N06G , NTD18N06LG .
History: PT9926 | ME2606 | STP17NK40ZFP
History: PT9926 | ME2606 | STP17NK40ZFP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882 | irf740 datasheet