NTD14N03RG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NTD14N03RG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для NTD14N03RG
NTD14N03RG Datasheet (PDF)
ntd14n03r-1g ntd14n03rg.pdf
NTD14N03R, NVD14N03RPower MOSFET14 Amps, 25 VoltsN-Channel DPAKhttp://onsemi.comFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performance14 AMPERES, 25 VOLTS Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss Low Ciss to Minimize Driver LossRDS(on) = 70.4 mW (Typ) Low Gate Charge Optimized for High Side Switching Requirements inN-CHANNELHigh-Efficiency DC-DC Co
ntd14n03r.pdf
NTD14N03RPower MOSFET14 Amps, 25 VoltsN-Channel DPAKhttp://onsemi.comFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performance14 AMPERES, 25 VOLTS Low RDS(on) to Minimize Conduction LossRDS(on) = 70.4 mW (Typ) Low Ciss to Minimize Driver Loss Low Gate Charge Optimized for High Side Switching Requirements inN-CHANNELHigh-Efficiency DC-DC ConvertersD
Другие MOSFET... NTB85N03 , NTB90N02 , NTBV45N06 , NTBV45N06L , NTD110N02RG , NTD12N10G , NTD12N10T4 , NTD14N03R-1G , IRFZ44N , NTD15N06-001 , NTD15N06L-001 , NTD18N06 , NTD18N06G , NTD18N06LG , NTD18N06T4G , NTD20N03L27G , NTD20N06-001 .
History: AP50T10GI-HF
History: AP50T10GI-HF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110



