SDF120JAA-S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SDF120JAA-S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 26(max) nC
trⓘ - Время нарастания: 63(max) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
Тип корпуса: TO254
Другие MOSFET... SDF10N100JEC , SDF10N100JED , SDF10N100SXH , SDF10N60 , SDF10N90GAF , SDF11N100GAF , SDF11N90GAF , SDF120JAA-D , IRF630 , SDF120JAA-U , SDF120JAB-D , SDF120JAB-S , SDF120JAB-U , SDF120JDA-D , SDF120JDA-S , SDF120JDA-U , SDF120NA20HI .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F