Справочник MOSFET. NTD3055-094-1

 

NTD3055-094-1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTD3055-094-1
   Маркировка: 55094
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 32.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 107 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.094 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD3055-094-1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  onsemi
 ntd3055-094-1 ntd3055-094-1g.pdf pdf_icon

NTD3055-094-1

NTD3055-094Power MOSFET12 A, 60 V, N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.http://onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Lower RDS(on) Lower VDS(on) 60 V 94 mW 12 A Lower and Tighter VSD Lower Diode Reverse Recovery TimeN-Channel Lower Reve

 3.1. Size:146K  onsemi
 ntd3055-094 nvd3055-094.pdf pdf_icon

NTD3055-094-1

NTD3055-094, NVD3055-094MOSFET Power,N-Channel, DPAK/IPAK12 A, 60 VDesigned for low voltage, high speed switching applications in powersupplies, converters and power motor controls and bridge circuits.http://onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Lower RDS(on) Lower VDS(on)60 V 94 mW 12 A Lower and Tighter VSD Lower Diode Reverse Recovery Time D

 3.2. Size:147K  onsemi
 ntd3055-094.pdf pdf_icon

NTD3055-094-1

NTD3055-094Power MOSFET12 A, 60 V, N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.http://onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Lower RDS(on) Lower VDS(on) 60 V 94 mW 12 A Lower and Tighter VSD Lower Diode Reverse Recovery TimeN-Channel Lower Reve

 6.1. Size:123K  onsemi
 ntd3055-150 nvd3055-150.pdf pdf_icon

NTD3055-094-1

NTD3055-150,NVD3055-150Power MOSFET9.0 A, 60 V, N-Channel DPAK/IPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgewww.onsemi.comcircuits.9.0 AMPERES, 60 VOLTSFeaturesRDS(on) = 122 mW (Typ) NVD Prefix for Automotive and Other Applications RequiringDUnique Site and Control Change Requirements

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF7313Q | HM3N10MR | BRCS150N10SRA | STW30NM60N | FSA07N60A

 

 
Back to Top

 


 
.