SDF120JAB-D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SDF120JAB-D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 26(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 63(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: TO254

Другие MOSFET... SDF10N100SXH , SDF10N60 , SDF10N90GAF , SDF11N100GAF , SDF11N90GAF , SDF120JAA-D , SDF120JAA-S , SDF120JAA-U , 2SK3878 , SDF120JAB-S , SDF120JAB-U , SDF120JDA-D , SDF120JDA-S , SDF120JDA-U , SDF120NA20HI , SDF120NA20JD , SDF12N100 .