SDF120JDA-S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDF120JDA-S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 63 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm

Тип корпуса: TO254

Аналог (замена) для SDF120JDA-S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF120JDA-S даташит

 8.1. Size:153K  solitron
 sdf120.pdf pdf_icon

SDF120JDA-S

 8.2. Size:164K  solitron
 sdf120na20.pdf pdf_icon

SDF120JDA-S

 9.1. Size:155K  solitron
 sdf12n100.pdf pdf_icon

SDF120JDA-S

 9.2. Size:155K  solitron
 sdf12n90.pdf pdf_icon

SDF120JDA-S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SDF11N90GAF, SDF120JAA-D, SDF120JAA-S, SDF120JAA-U, SDF120JAB-D, SDF120JAB-S, SDF120JAB-U, SDF120JDA-D, IRF630, SDF120JDA-U, SDF120NA20HI, SDF120NA20JD, SDF12N100, SDF12N90, SDF130JAA-D, SDF130JAA-S, SDF130JAA-U