NTD5807NT4G - описание и поиск аналогов

 

NTD5807NT4G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTD5807NT4G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 111 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 96 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm

Тип корпуса: DPAK IPAK

Аналог (замена) для NTD5807NT4G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD5807NT4G даташит

 ..1. Size:139K  onsemi
ntd5807nt4g.pdfpdf_icon

NTD5807NT4G

 5.1. Size:315K  cn vbsemi
ntd5807nt.pdfpdf_icon

NTD5807NT4G

NTD5807NT www.VBsemi.com N-Channel 4 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.013 at VGS = 10 V 55 40 42 nC 0.018 at VGS = 4.5 V 45 APPLICATIONS D OR-ing TO-252 Server DC/DC G D G S S Top View N-Channel MOSFET A

 6.1. Size:112K  onsemi
ntd5807n-d.pdfpdf_icon

NTD5807NT4G

NTD5807N Power MOSFET 40 V, 23 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK Features Low RDS(on) High Current Capability http //onsemi.com Avalanche Energy Specified These are Pb-Free Devices V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Applications 37 mW @ 4.5 V 16 A 40 V CCFL Backlight 31 mW @ 10 V 23 A DC Motor Control Class D Amplifier D Power Supply Secondary Side Synchr

 8.1. Size:133K  onsemi
ntd5805nt4g.pdfpdf_icon

NTD5807NT4G

NTD5805N, NVD5805N Power MOSFET 40 V, 51 A, Single N-Channel, DPAK Features Low RDS(on) High Current Capability http //onsemi.com Avalanche Energy Specified NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 16 mW @ 5.0 V Qualified and PPAP Capable 40 V 51 A These Devices

Другие MOSFET... NTD5406NG , NTD5407NG , NTD5413NT4G , NTD5414NT4G , NTD5802NT4G , NTD5804NT4G , NTD5805NT4G , NTD5806NT4G , STP65NF06 , NTD5862N-1G , 2SJ0672 , 7N60L-A-TA3 , 7N60L-B-TA3 , 7N60L-A-TF3 , 7N60L-B-TF3 , DFP50N06 , HY3208P .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.