SDF120NA20JD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDF120NA20JD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 180 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: NA

Аналог (замена) для SDF120NA20JD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF120NA20JD даташит

 4.1. Size:164K  solitron
 sdf120na20.pdf pdf_icon

SDF120NA20JD

 8.1. Size:153K  solitron
 sdf120.pdf pdf_icon

SDF120NA20JD

 9.1. Size:155K  solitron
 sdf12n100.pdf pdf_icon

SDF120NA20JD

 9.2. Size:155K  solitron
 sdf12n90.pdf pdf_icon

SDF120NA20JD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SDF120JAA-U, SDF120JAB-D, SDF120JAB-S, SDF120JAB-U, SDF120JDA-D, SDF120JDA-S, SDF120JDA-U, SDF120NA20HI, 2SK3878, SDF12N100, SDF12N90, SDF130JAA-D, SDF130JAA-S, SDF130JAA-U, SDF130JAB-D, SDF130JAB-S, SDF130JAB-U