SDF12N100 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SDF12N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 145 nC
   trⓘ - Время нарастания: 110(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO254

Другие MOSFET... SDF120JAB-D , SDF120JAB-S , SDF120JAB-U , SDF120JDA-D , SDF120JDA-S , SDF120JDA-U , SDF120NA20HI , SDF120NA20JD , IRFP250N , SDF12N90 , SDF130JAA-D , SDF130JAA-S , SDF130JAA-U , SDF130JAB-D , SDF130JAB-S , SDF130JAB-U , SDF130JDA-D .