SDF12N100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDF12N100

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO254

Аналог (замена) для SDF12N100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF12N100 даташит

 ..1. Size:155K  solitron
 sdf12n100.pdf pdf_icon

SDF12N100

 8.1. Size:155K  solitron
 sdf12n90.pdf pdf_icon

SDF12N100

 9.1. Size:153K  solitron
 sdf120.pdf pdf_icon

SDF12N100

 9.2. Size:164K  solitron
 sdf120na20.pdf pdf_icon

SDF12N100

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SDF120JAB-D, SDF120JAB-S, SDF120JAB-U, SDF120JDA-D, SDF120JDA-S, SDF120JDA-U, SDF120NA20HI, SDF120NA20JD, STP75NF75, SDF12N90, SDF130JAA-D, SDF130JAA-S, SDF130JAA-U, SDF130JAB-D, SDF130JAB-S, SDF130JAB-U, SDF130JDA-D