NTD85N02RT4 - описание и поиск аналогов

 

NTD85N02RT4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTD85N02RT4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 77 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 871 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NTD85N02RT4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD85N02RT4 даташит

 ..1. Size:76K  onsemi
 ntd85n02r-001 ntd85n02r-1g ntd85n02r ntd85n02rt4 ntd85n02r-d.pdf pdf_icon

NTD85N02RT4

NTD85N02R Power MOSFET 24 Volts, 85 Amps Single N-Channel, DPAK/IPAK http //onsemi.com Features Planar HD3e Process for Fast Switching Performance V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses 24 V 5.2 mW @ 10 V 85 A Low Gate Charge to Minimize Switching Losses Pb-Free Packages are Available N-Ch

 5.1. Size:83K  onsemi
 ntd85n02r.pdf pdf_icon

NTD85N02RT4

NTD85N02R Power MOSFET 85 Amps, 24 Volts N-Channel DPAK Features http //onsemi.com Pb-Free Packages are Available Planar HD3e Process for Fast Switching Performance VDSS RDS(ON) TYP ID MAX Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss 24 V 4.8 mW 85 A Low Ciss to Minimize Driver Loss Low Gate Charge N-Channel D MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C Unless otherwise specified

Другие MOSFET... NTD80N02 , NTD80N02-001 , NTD80N02-1G , NTD80N02G , NTD80N02T4 , NTD85N02R , NTD85N02R-001 , NTD85N02R-1G , AON7408 , NTD95N02R , NTD95N02R-1G , NTD95N02RT4 , NTDV18N06LT4G , NTDV20N06 , NTDV20N06L , NTDV20P06L , NTDV3055L104 .

History: MTP23P06V | 2N6796U | CM10N60AZ | 2N65G-TN3-R | FTP10N60C | AP4501GH-HF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.