NTDV3055L104 - описание и поиск аналогов

 

NTDV3055L104. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTDV3055L104

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 104 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.104 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NTDV3055L104

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTDV3055L104 даташит

 ..1. Size:154K  onsemi
 ntd3055l104t4g ntdv3055l104.pdf pdf_icon

NTDV3055L104

NTD3055L104, NTDV3055L104 Power MOSFET 12 Amps, 60 Volts, Logic Level N-Channel DPAK Designed for low voltage, high speed switching applications in http //onsemi.com power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. Features V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Lower RDS(on) 60 V 104 mW 12 A Lower VDS(on) Tighter VSD Specification N-Channel Lower Di

 ..2. Size:91K  onsemi
 ntd3055l104 ntdv3055l104.pdf pdf_icon

NTDV3055L104

NTD3055L104, NTDV3055L104 Power MOSFET 12 A, 60 V, Logic Level N-Channel DPAK/IPAK Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. www.onsemi.com Features Lower RDS(on) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Lower VDS(on) 60 V 104 mW 12 A Tighter VSD Specification Lower Diode Reverse Recov

Другие MOSFET... NTD85N02RT4 , NTD95N02R , NTD95N02R-1G , NTD95N02RT4 , NTDV18N06LT4G , NTDV20N06 , NTDV20N06L , NTDV20P06L , K3569 , NTDV5804N , NTF2955PT1G , NTF2955T1G , NTF3055-100T1 , NTF3055-160T1 , NTF3055-160T3LF , NTF3055L108T1G , NTF3055L175T1G .

History: IRF3205LPBF | LXP152ALT1G | 2SK3857CT | 30P06 | NTD4904N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.