Справочник MOSFET. NTDV3055L104

 

NTDV3055L104 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTDV3055L104
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 104 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.104 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для NTDV3055L104

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTDV3055L104 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  onsemi
 ntd3055l104t4g ntdv3055l104.pdf pdf_icon

NTDV3055L104

NTD3055L104,NTDV3055L104Power MOSFET12 Amps, 60 Volts, Logic LevelN-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inhttp://onsemi.compower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.FeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Lower RDS(on)60 V 104 mW 12 A Lower VDS(on) Tighter VSD SpecificationN-Channel Lower Di

 ..2. Size:91K  onsemi
 ntd3055l104 ntdv3055l104.pdf pdf_icon

NTDV3055L104

NTD3055L104,NTDV3055L104Power MOSFET12 A, 60 V, Logic Level N-ChannelDPAK/IPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications in powersupplies, converters and power motor controls and bridge circuits.www.onsemi.comFeatures Lower RDS(on)V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Lower VDS(on)60 V 104 mW 12 A Tighter VSD Specification Lower Diode Reverse Recov

Другие MOSFET... NTD85N02RT4 , NTD95N02R , NTD95N02R-1G , NTD95N02RT4 , NTDV18N06LT4G , NTDV20N06 , NTDV20N06L , NTDV20P06L , SPP20N60C3 , NTDV5804N , NTF2955PT1G , NTF2955T1G , NTF3055-100T1 , NTF3055-160T1 , NTF3055-160T3LF , NTF3055L108T1G , NTF3055L175T1G .

History: NCE9926 | RJK03E0DNS | AOI600A60 | IPB60R160C6 | CPH3910 | NCE60N1K0R

 

 
Back to Top

 


 
.