2SK2753 - описание и поиск аналогов

 

2SK2753. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK2753

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для 2SK2753

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2753 даташит

 ..1. Size:209K  inchange semiconductor
2sk2753.pdfpdf_icon

2SK2753

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2753 FEATURES With TO-3PN packaging High speed switching Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER

 0.1. Size:171K  fuji
2sk2753-01.pdfpdf_icon

2SK2753

N-channel MOS-FET 2SK2753-01 FAP-IIS Series 120V 32m 50A 150W > Features > Outline Drawing - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = 30V Guarantee - Repetitive Avalanche Rated > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier > Maximum Ratings and Character

 8.1. Size:393K  toshiba
2sk2750.pdfpdf_icon

2SK2753

2SK2750 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSV) 2SK2750 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS = 1.7 (typ.) (ON) High forward transfer admittance Y = 3.0 S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (max) (V = 600 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 2.0 4.0 V

 8.2. Size:21K  panasonic
2sk2751.pdfpdf_icon

2SK2753

Silicon Junction FETs (Small Signal) 2SK2751 2SK2751 Silicon N-Channel Junction Unit mm For impedance conversion in low frequency +0.2 2.8 0.3 For pyro-electric sensor +0.25 0.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15 Features 1 Low noise-figure (NF) High gate-drain voltage VGDO 3 Downsizing of sets by mini-type package and automatic insertion by 2 taping/magazine packing are a

Другие MOSFET... NTF3055L175T1G , NTF5P03 , NTF6P02T3G , NTGD3147FT1G , NTGD3148NT1G , 2SK1085-M , 2SK1969-01 , 2SK2258 , AON7506 , 2SK3262 , 2SK428 , 30N50 , 80N06 , AM30N10 , AOD2144 , BUK437-500B , BUK637-500B .

History: FMV23N50E | IRFP151FI | 2SK3857MFV | STQ2HNK60Z-AP | SVS5N70F | 2N7002ZDWG-AL6-R | PFB2N60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.