BUK437-500B. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BUK437-500B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для BUK437-500B
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BUK437-500B даташит
buk437-500b.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor BUK437-500B FEATURES With TO-247 packaging High speed switching Very high commutation ruggedness Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS PFC stages Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
buk437-500a b.pdf
www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com
buk436w-1000b 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK436W-1000B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope. VDS Drain-source voltage 1000 V The device is intended for use in ID Drain current (DC) 3.1 A Switched Mode Power Supplies Ptot Total power dissipation 125 W (S
buk436w-200a-b 1.pdf
Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK436W-200A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope. BUK436 -200A -200B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 200 200 V Switched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 19 17 A (SMPS),
Другие MOSFET... 2SK2258 , 2SK2753 , 2SK3262 , 2SK428 , 30N50 , 80N06 , AM30N10 , AOD2144 , IRFP250 , BUK637-500B , CSD30N30 , FCH067N65S3 , FCP067N65S3 , FCP099N65S3 , FCP190N65S3 , FCP290N80 , FCPF125N65S3 .
History: 2SK4068-01 | WMN28N65F2 | SM1A11NSK | AOB2144L | 2SK559 | ARF446
History: 2SK4068-01 | WMN28N65F2 | SM1A11NSK | AOB2144L | 2SK559 | ARF446
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315




