Справочник MOSFET. BUK437-500B

 

BUK437-500B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK437-500B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для BUK437-500B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK437-500B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  inchange semiconductor
buk437-500b.pdfpdf_icon

BUK437-500B

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor BUK437-500BFEATURESWith TO-247 packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPFC stagesPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 4.1. Size:195K  philips
buk437-500a b.pdfpdf_icon

BUK437-500B

www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com

 9.1. Size:53K  philips
buk436w-1000b 1.pdfpdf_icon

BUK437-500B

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK436W-1000B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. VDS Drain-source voltage 1000 VThe device is intended for use in ID Drain current (DC) 3.1 ASwitched Mode Power Supplies Ptot Total power dissipation 125 W(S

 9.2. Size:54K  philips
buk436w-200a-b 1.pdfpdf_icon

BUK437-500B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK436W-200A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. BUK436 -200A -200BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 200 200 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 19 17 A(SMPS),

Другие MOSFET... 2SK2258 , 2SK2753 , 2SK3262 , 2SK428 , 30N50 , 80N06 , AM30N10 , AOD2144 , STF13NM60N , BUK637-500B , CSD30N30 , FCH067N65S3 , FCP067N65S3 , FCP099N65S3 , FCP190N65S3 , FCP290N80 , FCPF125N65S3 .

History: PRZM002P02T2L | BSS138AKDW | PK608DY | APM7318KC | HYG018N10NS1B6 | MDU5693VRH

 

 
Back to Top

 


 
.