BUK437-500B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BUK437-500B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для BUK437-500B
BUK437-500B Datasheet (PDF)
buk437-500b.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor BUK437-500BFEATURESWith TO-247 packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPFC stagesPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
buk437-500a b.pdf

www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com
buk436w-1000b 1.pdf

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK436W-1000B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. VDS Drain-source voltage 1000 VThe device is intended for use in ID Drain current (DC) 3.1 ASwitched Mode Power Supplies Ptot Total power dissipation 125 W(S
buk436w-200a-b 1.pdf

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK436W-200A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. BUK436 -200A -200BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 200 200 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 19 17 A(SMPS),
Другие MOSFET... 2SK2258 , 2SK2753 , 2SK3262 , 2SK428 , 30N50 , 80N06 , AM30N10 , AOD2144 , STF13NM60N , BUK637-500B , CSD30N30 , FCH067N65S3 , FCP067N65S3 , FCP099N65S3 , FCP190N65S3 , FCP290N80 , FCPF125N65S3 .
History: PRZM002P02T2L | BSS138AKDW | PK608DY | APM7318KC | HYG018N10NS1B6 | MDU5693VRH
History: PRZM002P02T2L | BSS138AKDW | PK608DY | APM7318KC | HYG018N10NS1B6 | MDU5693VRH



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315