BUK437-500B - описание и поиск аналогов

 

BUK437-500B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK437-500B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для BUK437-500B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK437-500B даташит

 ..1. Size:213K  inchange semiconductor
buk437-500b.pdfpdf_icon

BUK437-500B

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor BUK437-500B FEATURES With TO-247 packaging High speed switching Very high commutation ruggedness Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS PFC stages Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 4.1. Size:195K  philips
buk437-500a b.pdfpdf_icon

BUK437-500B

www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com

 9.1. Size:53K  philips
buk436w-1000b 1.pdfpdf_icon

BUK437-500B

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK436W-1000B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope. VDS Drain-source voltage 1000 V The device is intended for use in ID Drain current (DC) 3.1 A Switched Mode Power Supplies Ptot Total power dissipation 125 W (S

 9.2. Size:54K  philips
buk436w-200a-b 1.pdfpdf_icon

BUK437-500B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK436W-200A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope. BUK436 -200A -200B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 200 200 V Switched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 19 17 A (SMPS),

Другие MOSFET... 2SK2258 , 2SK2753 , 2SK3262 , 2SK428 , 30N50 , 80N06 , AM30N10 , AOD2144 , IRFP250 , BUK637-500B , CSD30N30 , FCH067N65S3 , FCP067N65S3 , FCP099N65S3 , FCP190N65S3 , FCP290N80 , FCPF125N65S3 .

History: 2SK4068-01 | WMN28N65F2 | SM1A11NSK | AOB2144L | 2SK559 | ARF446

 

 

 

 

↑ Back to Top
.