Справочник MOSFET. 2N7638-GA

 

2N7638-GA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N7638-GA
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 250 °C
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-276AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2N7638-GA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:462K  genesic
 2n7638-ga.pdf pdf_icon

2N7638-GA

2N7638-GANormally OFF Silicon Carbide VDS = 650 V Junction Transistor VDS(ON) = 1.4 V ID = 8 A RDS(ON) = 180 m Features Package 250 C maximum operating temperature RoHS Compliant Temperature independent switching performance D Gate oxide free SiC switch S Suitable for connecting an anti-parallel diode Positive temperature coefficient for ea

 9.1. Size:845K  genesic
 2n7639-ga.pdf pdf_icon

2N7638-GA

2N7639-GANormally OFF Silicon Carbide VDS = 600 V Junction Transistor VDS(ON) = 1.3 V ID = 20 A RDS(ON) = 65 m Features Package 250 C maximum operating temperature RoHS Compliant Temperature independent switching performance D Electrically isolated base-plate Gate oxide free SiC switch Suitable for connecting an anti-parallel diode G

 9.2. Size:467K  genesic
 2n7637-ga.pdf pdf_icon

2N7638-GA

2N7637-GANormally OFF Silicon Carbide VDS = 650 V Junction Transistor VDS(ON) = 1.2 V ID = 7 A RDS(ON) = 170 m Features Package 250 C maximum operating temperature RoHS Compliant Temperature independent switching performance D Electrically isolated base-plate Gate oxide free SiC switch Suitable for connecting an anti-parallel diode G

 9.3. Size:504K  genesic
 2n7635-ga.pdf pdf_icon

2N7638-GA

2N7635-GANormally OFF Silicon Carbide VDS = 650 V Junction Transistor VDS(ON) = 1.7 V ID = 4 A RDS(ON) = 425 m Features Package 250 C maximum operating temperature RoHS Compliant Temperature independent switching performance D Electrically isolated base-plate Gate oxide free SiC switch Suitable for connecting an anti-parallel diode Po

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFS341 | BSO203SP | 2SK787 | AOD400 | STU624S | STH7N90 | AOB780A70L

 

 
Back to Top

 


 
.